日本原裝ULVAC愛發(fā)科 高精度光譜橢偏儀

日本原裝ULVAC愛發(fā)科 高精度光譜橢偏儀

• 工作原理

• 利用偏振光在樣品表面反射時偏振態(tài)的變化來獲取樣品的信息。當已知偏振態(tài)的線偏振光入射到樣品表面時，其在薄膜與基底的界面處發(fā)生反射和折射，反射光的偏振態(tài)（幅度和相位）會發(fā)生改變。通過測量反射光的偏振態(tài)變化，通常用復函數(shù) ρ 來表示，而 ρ 又可以用 ψ 和?分別描述反射光 p 波與 s 波振幅衰減比和相位差，進而計算或擬合出材料的光學常數(shù)、膜層厚度等參數(shù)。

• 主要特點

• 測量速度快：能夠在短時間內完成大量測量點的數(shù)據(jù)采集，如 ULVAC 的 UNE CS 系列最快可在 20ms 內完成一次測量，HORIBA 的 UVISEL 相位調制型光譜橢偏儀 50ms 即可獲得數(shù)據(jù)，大大提高了測量效率，適用于在線監(jiān)測和快速過程控制。

• 測量精度高：可以精確測量薄膜厚度、折射率、消光系數(shù)等參數(shù)，厚度測量的重復性可低至 0.1nm，能夠滿足各種高精度測量需求。

  非接觸式測量：對樣品沒有破壞，也不需要真空環(huán)境，不會對被測樣品造成損傷，適用于各種易損或敏感材料的測量。

• 光譜范圍寬：覆蓋從紫外到紅外的多個波段，如 M-2000 系列光譜范圍可從 193nm 延伸到 1690nm，不同的光譜范圍可以提供關于材料不同的信息，有助于對各種材料進行全面的分析。

• 多種測量模式：具備多種測量模式和功能，如自動聚焦、自動變角、多點 Mapping 測量等，可根據(jù)不同的測量需求進行靈活配置。

• 應用領域

• 半導體行業(yè)：用于半導體材料的薄膜厚度監(jiān)測、光刻膠厚度測量、半導體器件制造過程中的工藝控制等，如監(jiān)測硅片上氧化層、氮化層、光刻膠等薄膜的厚度和光學性質，以確保半導體器件的性能和質量。

• 光學鍍膜：對各種光學薄膜，如增透膜、高反膜、濾光膜等的厚度和折射率進行精確測量和控制，以實現(xiàn)光學元件的優(yōu)良光學性能。

• 光伏領域：在太陽能電池的研發(fā)和生產中，用于測量光伏材料的薄膜厚度和光學特性，如非晶硅、多晶硅、碲化鎘、銅銦鎵硒等薄膜材料，有助于優(yōu)化電池結構，提高電池的光電轉換效率。

• 顯示行業(yè)：用于液晶顯示器、有機發(fā)光二極管顯示器等顯示器件中薄膜材料的測量和質量控制，如測量液晶層、有機發(fā)光層、透明導電電極等薄膜的厚度和光學常數(shù)，確保顯示器件的顯示效果和性能。

• 材料研究：在新材料的研發(fā)過程中，用于研究材料的光學性質、薄膜生長過程、材料微結構等，幫助科研人員了解材料的特性，開發(fā)出具有更好性能的新材料。

• 部分型號產品參數(shù)

• 測量速度：單點測量速度快至 0.3 秒，5 點含移動約 10 秒。

• 光譜范圍：最寬可至 193nm-1690nm。

• 測量速度：最快可達 20ms。

• 光譜范圍：標準型為 530nm 至 750nm，可見光譜型為 380nm 至 760nm。

• 測量速度：可在小于 1 秒的時間內測量 390 個以上波長。

• 光譜范圍：M-2000 V 為 370nm 至 1000nm；M-2000 U/X 為 245nm 至 1000nm；M-2000 D 為 193nm 至 1000nm，NIR 擴展后可達 1010nm 至 1690nm。

• 入射角：計算機控制的入射角范圍為 20° 至 90°（垂直）或 45° 至 90°（水平）。

• M-2000 系列

• UNE CS 系列

• COSE PV 6.1M